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Artículo publicado en CQ Radio Amateur,
nº 292 (agosto 2008)
RF MEMS, la próxima revolución
El futuro de los sistemas de
radiocomunicaciones pasará por los próximos componentes
micro-electromecánicos (MEMS), que algún día no muy lejano
formarán parte de los equipos de radioaficionado
Sergio Manrique Almeida
Todos los derechos
reservados

MEMS son las siglas en inglés de
Sistema Micro-Electromecánico, es decir, componentes cuyas
partes de tamaño inferior al milímetro deben moverse para que
el componente tenga funcionalidad electrónica. Dispositivos
MEMS pasivos para radiofrecuencia se emplean para implementar
capacidades, inductancias, resonadores, conmutadores, filtros,
varactores y desplazadores de fase de alta calidad, ofreciendo
bajas pérdidas, altos factores de calidad Q (por tanto altas
selectividades), alta linealidad y altas potencias aceptables.
Aunque hoy en su mayoría no han salido de los laboratorios de
investigación, pueden ser producidos mediante técnicas de
litografía avanzadas empleadas en microelectrónica.
Dentro de la amplia gama de aplicación de la tecnología
MEMS, existe una oportunidad inigualable de implementar
resonadores y filtros micromecánicos de altas prestaciones en
cuanto a su selectividad y factores Q. Combinando estas
estructuras mecánicas con dispositivos microelectrónicos
pueden implementarse partes centrales de sistemas de
radiofrecuencia: como ejemplos, varios tipos de osciladores,
osciladores controlados por voltaje (VCO), mezcladores y
filtros estrechos. Los filtros y resonadores MEMS obtenidos
hasta la fecha están basados en sus vibraciones mecánicas en
dirección vertical u horizontal en obleas de silicio.
Repasemos algunos de estos nuevos componentes.
Dispositivos de
RF micromecánicos
Conmutadores micromecánicos. Con pérdidas de
inserción típicas de 0,1 dB, puntos de intercepción IP3
mayores de 66 dB y picovatios de consumo, pueden superar
ampliamente las prestaciones de semiconductores (FET o
diodos) en conmutación de antenas y filtros, al estar
construidos con metales de pérdidas muy inferiores a las
de los semiconductores.
Condensadores variables de Q medio. Los
condensadores mecánicos variables MEMS están formados por
placas metálicas movibles electrostáticamente, o bien por
dieléctricos movibles entre dos placas metálicas, de forma
que su capacidad es controlada por voltaje. Como en el
caso de los conmutadores, al poder ser construidos en base
a metales, pueden obtenerse factores Q tan altos como 300,
muy superiores a los obtenidos mediante diodos PN en los
circuitos integrados de tecnología convencional. Agrupados
con inductancias de Q medio, los condensadores mecánicos
pueden mejorar las características de osciladores VCO de
bajo ruido; asimismo, si pudieran obtenerse inductancias
con Q de hasta 300, se conseguirían filtros preselectores
de RF que simplificarían considerablemente la
implementación de transceptores multibanda.
Inductancias micromaquinadas de Q medio. La
tecnología convencional no permite incluir en un circuito
integrado inductores de factor Q mayor de 7. Mediante
tecnologías MEMS ha sido posible realizar demostraciones
de integración de inductancias con Q tan altos como 70 en
frecuencias de 1 GHz. Circuitos de polarización y
adaptación que reduzcan el consumo en amplificadores de
potencia también deberían ser posibles gracias a estos
inductores integrados.
Resonadores micromecánicos de alto Q. Dado que
las resonancias mecánicas en general muestran factores Q
muy superiores a los de sus equivalentes eléctricos, los
resonadores mecánicos vibrantes son componentes
esenciales en circuitos de comunicaciones; escalándolos
adecuadamente mediante tecnología MEMS, estos
dispositivos pueden ser diseñados para oscilar en un
margen de frecuencias muy amplio, de menos de 1 kHz a
más de 1 GHz, lo que los hace ideales como osciladores
ultra estables y filtros de bajas pérdidas para un
amplio rango de tipos de transceptores de
comunicaciones.
Los años han visto una evolución de las
estructuras de los dispositivos MEMS de RF; como
ejemplo, una estructura relativamente avanzada en su
momento, podría decirse formada por “cuerdas de
guitarra” escaladas a escala micrométrica, permitió
obtener factores Q del orden de 8000 en frecuencias de
HF, siendo utilizable en funciones de oscilador o
filtrado en frecuencias de hasta 100 MHz.
Otras estructuras han sido desarrolladas para
sobrepasar ese límite y manteniendo factores Q del orden
de miles; una de ellas, un disco micrométrico de
diamante dopado alcanzó en la frecuencia de 1,51 GHz un
Q de 11.555 en el vacío y de 10.100 en el aire,
eliminando el requerimiento que tienen otras estructuras
de hallarse en el vacío para alcanzar tales factores Q
eliminando las pérdidas debidas al rozamiento con el
aire. El mencionado disco tenía un diámetro de 20 micras
(milésimas de milímetro) y un grosor de 2 micras.
Circuitos micromecánicos. Los resonadores
mecánicos pueden ser empleados en síntesis de frecuencia
en transceptores, pero sus aplicaciones pueden ir más
allá si son empleados en redes de circuitos. En
particular, entrelazando elementos mecánicos en redes
específicas se obtiene una variedad de circuitos de
bajas pérdidas desde filtros paso bajo a mezcladores,
pasando por dispositivos con ganancia.
Como ejemplo, en un
laboratorio se consiguió desarrollar el filtro paso banda
de la foto A, sintonizado en 68,1 MHz, con un ancho de
banda del 0,28% (190 kHz), pérdidas de inserción menores
de 2,7 dB, y todo en unas dimensiones de 250 x 60 micras,
una estructura con 43 resonadores y enlaces y con un
consumo nulo. Además, el filtro puede ser conmutado
(incluido o excluido del camino de la RF, sea en
transmisión o recepción) mediante una tensión de
polarización, por lo que no necesita dispositivos de
conmutación externos que introducirían pérdidas.

Foto A.
Microfotografía de un filtro paso banda micromecánico
para 68,1 MHz, construido en base a una red de
resonadores cuadrados acoplados mecánicamente para
reducir sus impedancias de entrada y salida. Fuente: [1]
Asimismo,
circuitos como el de la foto A pueden ser empleados en
la adaptación de impedancias entre circuitos y antenas,
siendo 50 y 377 ohmios las impedancias más comunes en
antenas exteriores a los chips. De hecho, el mencionado
filtro presenta 50 ohmios en su entrada y en su salida,
gracias a su diseño.
Los filtros son los bloques básicos en sistemas
de conversión de frecuencia como receptores y emisores.
La necesidad de poder variar sus características
frecuenciales en sistemas de recepción de banda ancha y
transmisores, habitualmente se resuelve conmutando
múltiples circuitos de sintonía fija. El uso de filtros
y resonadores sintonizables puede simplificar
notablemente la complejidad y las pérdidas en equipos
multibanda. Desafortunadamente, todavía no existe un
componente resonador sintonizable que iguale las
características de los resonadores fijos, pero la
llegada de sistemas MEMS para radiofrecuencia introduce
nuevas posibilidades de obtener resonadores de
frecuencia variable con las prestaciones de los fijos.
¿Desaparecerán
los cristales de cuarzo?
Los resonadores a cristal de cuarzo son la
norma en el control de frecuencia debido a su gran
estabilidad, que los hace superiores a otras
alternativas, aunque también tienen sus
inconvenientes: dificultad de integración en
dispositivos CMOS, coste y degradación si son sujetos
a impactos o vibraciones mecánicos.
En 2007 se estima que más de 10.000 millones de
cristales u osciladores de cuarzo fueron producidos,
pero la industria electrónica lleva décadas estudiando
los MEMS como candidatos a reemplazar a los cristales
de cuarzo en algunas aplicaciones de control de
frecuencia.
La empresa Ecliptek ya produce osciladores
programables MEMS, con una desviación máxima de ±50
partes por millón en un margen de temperatura de -40 a
+85 °C, y con un ventajoso proceso de producción en
oblea CMOS, imposible de utilizar en la producción de
cristales de cuarzo. Su proceso de fabricación es más
sencillo, rápido, y su menor tamaño, mejores
características e inclusión en chips CMOS permitirá
reducir las dimensiones de equipos inalámbricos, y
según algunas fuentes llevará a la desaparición del
cuarzo de las placas de circuito impreso.
Arquitecturas de
transceptores basadas en MEMS
En una arquitectura de transceptor, la
sustitución de determinados componentes (que no sean
circuitos integrados) por dispositivos MEMS puede llevar a
significativas mejoras en sus características. Como
ejemplo, en transceptores superheterodinos, la sustitución
de componentes pasivos de alto Q por MEMS de mayor Q causa
a menudo una brusca mejora en la figura de ruido en
recepción, en casos pasando de 8,8 dB a 2,8 dB. Además,
recientemente se han realizado demostraciones de
osciladores de bajo ruido de fase enganchados a elementos
resonadores micromecánicos de ajuste de frecuencia,
mostrando un consumo mucho menor que el de sus
equivalentes convencionales.
Las mejoras en las prestaciones por la simple sustitución
por componentes MEMS son limitadas en relación a las
obtenidas por un uso más intensivo de la tecnología MEMS,
que aprovecha las ventajas derivadas de su tamaño, su nulo
consumo de corriente continua, robustez y alta
selectividad. En la figura 1 se observa el diagrama de
bloques de la posible etapa frontal de un transceptor
ejemplo de la gran complejidad alcanzable mediante
circuitos mecánicos.

Figura 1.
Diagrama de bloques de una arquitectura de transceptor
de RF de baja potencia, que emplea dispositivos MEMS de
RF (bloques en verde) para mejorar la robustez y reducir
el consumo respecto las arquitecturas de hoy en día
Los
objetivos de mayor robustez y menor consumo se logran
situando componentes mecánicos pasivos de bajas pérdidas
allá donde en una arquitectura convencional habría
componentes activos. Algunas de las principales mejoras
en el transceptor son:
Selector de RF. Un selector de RF formado
por un banco de filtros mecánicos conmutables permite
funcionamiento multibanda, menor consumo en recepción
gracias a las menores exigencias de margen dinámico, y
menor consumo en transmisión gracias al uso de un
amplificador de potencia más eficiente
Filtros-mezcladores. El uso de
filtros-mezcladores pasivos mecánicos, en sustitución de
los mezcladores activos habituales, con el obvio ahorro
de energía.
Oscilador enganchado a resonadores mecánicos.
El VCO toma la referencia de un banco de resonadores
mecánicos conmutables, no requiere tomar referencia de
una señal de frecuencia inferior y así su consumo es
varios órdenes de magnitud inferior que el de los
sintetizadores en uso hoy en día.
Conmutación mecánica entre transmisión y
recepción. Implementable mediante un conmutador
MEMS de RF, o mediante una red de filtros micromecánicos
de transducción capacitiva, tiene el potencial de
reducir considerablemente el consumo en transmisión.
Y finalmente, el uso de componentes de
conmutación y resonadores mecánicos en la etapa
amplificadora de potencia para mejorar su eficiencia.
Aunque
ya bastante intensiva, la arquitectura de la figura 1
todavía no representa todo el potencial de ahorro de
energía de la tecnología MEMS; de hecho, es posible
mejorar aún más robustez y consumo si los componentes
mecánicos de alta selectividad en el trayecto de la
señal introducen unas pérdidas tan bajas que el
amplificador de bajo ruido de recepción (LNA,
normalmente necesario para subir el nivel de las
señales recibidas por encima del ruido y las pérdidas
de las etapas posteriores) deja de ser necesario. Más
bien, si se prescinde de dicho LNA de RF desaparecen
su ruido, consumo y limitaciones de linealidad,
lográndose un mayor magen dinámico en la etapa frontal
de recepción. La ganancia necesaria para que la señal
de banda base a demodular tenga un nivel aceptable
puede obtenerse mediante un amplificador LNA de
frecuencia intermedia, que consumirá mucha menos
potencia dado que opera en una frecuencia mucho menor.
Resumen
Los dispositivos micromecánicos y circuitos
implementados mediante tecnologías MEMS potencialmente
pueden jugar un papel fundamental en reducir el tamaño
de los equipos de radiocomunicaciones. Además, las
ventajas de la integración conjunta de transistores y
circuitos mecánicos harán posible funciones antes
irrealizables, que permitirán arquitecturas
alternativas con sustanciales mejoras, especialmente
en cuanto a robustez y consumo de energía. No
obstante, para alcanzar los beneficios de estas
tecnologías son necesarios progresos en la
automatización del diseño de estos circuitos
micromecánicos.

Foto B.
Filtro MEMS de cinco polos para UHF, con un tamaño
de 3,5 x 14 milímetros. Es sintonizable entre 880 y
992 MHz, su ancho de banda varía entre 168 y 174 MHz
(en teoría debía ser constante), y las pérdidas de
inserción en la banda de paso varían entre 6,6 y 7,3
dB. Fuente: [2]

Foto C.
Filtro MEMS de cinco polos para VHF, con un tamaño
de 4 x 16 milímetros. Es sintonizable entre 110 y
160 MHz, su ancho de banda varía entre 37 y 58 MHz,
y las pérdidas de inserción varían entre 3,7 y 4,2
dB. Fuente: [2]
Fuentes
[1] T. Clark, C. Nguyen, "RF MEMS in Wireless
Architectures", DARPA/MTO (ACM, 2005).
[2] Varios autores, "RF MEMS-Based Tunable Filters",
John Wiley & Sons, Inc. Int J RF and Microwave
CAE11.
[3] SAE Technology Newsletter, 1-4-2008.
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